芯东西9月23日报道，上周，国产设备厂商北京华卓精科科技股份有限公司成功过会。事实上，自今年6月以来，华海清科、华卓精科、拓荆科技、屹唐股份等国产设备厂商纷纷进入上市流程，其承担的集成电路研发项目也有所突破。而这正是下游中芯国际等厂商所期待的“及时雨”。

　　本月，中芯国际披露其将在上海临港再建一座晶圆厂，该晶圆厂总投资88.7亿美元，计划产能为每月10万片12英寸晶圆产能。上海临港管委会为该晶圆厂项目得合资方，出资25%；中芯国际出资则不低于51%。

　　对应各制造环节，主要的半导体设备有热处理设备、薄膜沉积设备、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀设备、去胶设备、离子注入设备、CMP设备等。随着半导体设备厂商逐渐登陆科创板或接受大基金支持，其研发资金有所提升，实现了多项设备的国产替代。如今不少企业的产品已能够用于28nm产线，部分产品甚至打入了最先进的5nm产线。

　　这一工序中，北方华创、屹唐股份等厂商可以提供应用于28nm逻辑芯片产线的设备。

　　在薄膜生长环节，北方华创能够提供化学气相沉积设备（CVD）、物理气相沉积设备（PVD）、原子层沉积设备（ALD）等产品；拓荆科技则有等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备。

　　3、光刻设备：上海微电子产品可用于90nm制程，芯源公司涂胶显影机可用于28nm及以上工艺节点

　　上周六，上海微电子宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机，该光刻机主要应用于高密度异构集成领域，具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光视场等特点。

　　其中，中微公司已是全球半导体刻蚀设备的5大供应商之一，其12英寸高端刻蚀设备已用于5nm产线nm刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估已完成。

　　离子注入则是除了扩散的另一种半导体掺杂技术，该技术通过高能量带电离子束，将掺杂物原子强行注入半导体中。离子注入环节的技术门槛相对较高，国产厂商市场份额较少，仅有中科信及万业企业旗下的凯世通的产品在部分12寸晶圆产线获得验证通过，是否能够帮助中芯国际扩产28nm并不明确。

　　在干法去胶领域，屹唐股份已成为全球龙头厂商。屹唐股份占据了全球干法去胶设备市场的31.29%，是全球市场份额最多的厂商，其产品可用于90nm到5nm逻辑芯片的干法去胶工艺。

　　当前华海清科的机台产品正在做产线nm产线年前五大客户（来源：华海清科招股书）

　　一方面，对华为等美国重点制裁的企业，中芯国际仍不能提供包含ASML DUV光刻机等含有美国技术的产品。另一方面，根据拓荆科技、屹唐股份等厂商的招股书，其设备性能和应用材料、泛林半导体等国际巨头相比仍有不足；CMP和离子注入设备能否顺利应用于28nm产线年，中芯国际就已推出了基于应用材料、泛林半导体等厂商设备的28nm工艺。如今，中芯国际如果将28nm产线全部替换为国产设备，无论是产线产能、成本，还是产品良率都可能无法达到预期。这也是中芯国际仍需要应用材料、泛林半导体等外国厂商设备的关键原因。

　　如今，在不少的28nm设备上，国产厂商已实现了从0到1的突破。随着这些厂商的技术和设备逐渐成熟，28nm芯片的国产替代正越来越近，值得行业期待。